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量子エリプソメータを用いたイオンスパッタ法によるBEUV反射多層膜鏡の開発(仮称)

研究課題

戦略的な研究開発の推進 経済安全保障重要技術育成プログラム

体系的番号 JPMJKP24M6

研究代表者

江島 丈雄  東北大学, 国際放射光イノベーション・スマート研究センター, 准教授

研究期間 (年度) 2025 – 2029 (予定)
概要次世代半導体露光用の動作波長6.XnmのBEUV(Beyond Extreme Ultra-Violet)光学系には、反射多層膜を利用した反射光学系が使われます。本研究開発では、イオンスパッタ法により膜品質の向上と、膜厚制御のための量子エリプソメータの導入により、BEUV反射多層膜を開発します。開発した反射多層膜を用いてBEUV結像光学系を開発し、BEUV像の取得を試みることで、BEUV露光機の光学技術獲得を目指します。
研究領域「次世代半導体微細加工プロセス技術」に関する研究開発構想(プロジェクト型)

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2025-03-26  

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