量子エリプソメータを用いたイオンスパッタ法によるBEUV反射多層膜鏡の開発(仮称)
体系的番号 |
JPMJKP24M6 |
研究代表者 |
江島 丈雄 東北大学, 国際放射光イノベーション・スマート研究センター, 准教授
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研究期間 (年度) |
2025 – 2029 (予定)
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概要 | 次世代半導体露光用の動作波長6.XnmのBEUV(Beyond Extreme Ultra-Violet)光学系には、反射多層膜を利用した反射光学系が使われます。本研究開発では、イオンスパッタ法により膜品質の向上と、膜厚制御のための量子エリプソメータの導入により、BEUV反射多層膜を開発します。開発した反射多層膜を用いてBEUV結像光学系を開発し、BEUV像の取得を試みることで、BEUV露光機の光学技術獲得を目指します。
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研究領域 | 「次世代半導体微細加工プロセス技術」に関する研究開発構想(プロジェクト型) |