ウエハースケールvdWエピタキシーの確立と2D-CMOS集積化のためのプロセス技術の構築

研究課題

体系的番号	JPMJCR24A3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR24A3
研究代表者	長汐晃輔東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	2024 – 2029
概要	本申請では，c面サファイア基板上にN型MoS2及び，P型WSe2をvdWエピタキシーにより単結晶成膜し，CMOSインバータ動作を実証することを提案する．到達目標として，結晶性の指針である移動度50 cm2/Vs以上，CMOSインバータ動作の指標であるゲインをVDD = 1 Vにて100以上を目指す．
研究領域	ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術