ウエハースケールvdWエピタキシーの確立と2D-CMOS集積化のためのプロセス技術の構築
| 体系的番号 |
JPMJCR24A3 |
研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2029
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| 概要 | 本申請では，c面サファイア基板上にN型MoS2及び，P型WSe2をvdWエピタキシーにより単結晶成膜し，CMOSインバータ動作を実証することを提案する．到達目標として，結晶性の指針である移動度50 cm2/Vs以上，CMOSインバータ動作の指標であるゲインをVDD = 1 Vにて100以上を目指す．
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| 研究領域 | ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術 |
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