Semiconductor quantum technology based on industrial-grade Ge quantum materials

研究課題

戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号	JPMJCR24A1
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR24A1
研究代表者	大岩顕大阪大学, 産業科学研究所, 教授
研究期間 (年度)	2024 – 2029
概要	産業規格歪みGe量子井戸基板を使い、Ge正孔スピン量子ビットとそれを大規模集積化する量子接続や超伝導接合、波束検出器などの革新的量子技術を開発し、半導体産業プロセスへ適応させることで、量子技術を産業技術へと橋渡しすることを目指します。このプロジェクトは半導体産業プロセスの世界的研究機関であるフランス原子力・代替エネルギー庁電子情報技術研究所を含む日仏の強力な連携体制の下で推進します。
研究領域	ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

主な研究成果
(4件)

すべて雑誌論文 (4件) (査読あり 4件、オープンアクセス 2件)

[雑誌論文] Spin-blockade and state lifetimes of many-hole spin states in silicon quantum dots2024
- 著者名
  C. Kondo, R. Mizokuchi, G. Sakamoto, R. Tsuchiya, T. Mine, D. Hisamoto, H. Mizuno, J. Yoneda, T. Kodera
- 雑誌名
  
  Jap. J. Appl. Phys.
  
  巻: 64 ページ: 1-5
- 査読あり
[雑誌論文] Stabilization of a silicon double quantum dot based on a multi-dimensional gradient descent technique2024
- 著者名
  C. Wen, H. Takahashi,?S. I. Ibad,?S. Nishiyama,?K. Kato,?Y. Liu,?S. Murakami,?T. Mori,?R. Mizokuchi,?J. Yoneda, T. Kodera
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 18 号: 015001 ページ: 1-4
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Inductor-shunted matching circuits for enhanced frequency multiplexibility in RF single electron transistors in silicon2024
- 著者名
  S. Nishiyama, R. Mizokuchi, R. Matsuda, J. Kamioka, J. Yoneda, T. Kodera
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 126 号: 094001 ページ: 1-6
- 査読あり
[雑誌論文] Environment model construction toward auto-tuning of quantum dot devices based on model-based reinforcement learning2024
- 著者名
  C. Kondo, R. Mizokuchi, J. Yoneda, T. Kodera
- 雑誌名
  
  APL Mach. Learn.
  
  巻: 3 号: 016114 ページ: 1-6
- 査読あり / オープンアクセス