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ナノ物質デバイスにおけるノントラップ界面形成

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR24A2

研究代表者

大野 雄高  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授

研究期間 (年度) 2024 – 2029
概要表面にダングリングボンドをもたない低次元半導体材料における界面について、実験と理論の両面から完全な理解を進め、界面形成手法の指導原理を明らかにします。特に、表面の清浄化に加え、絶縁膜にダングリングボンドをもたない材料を導入することによって、トラップのないノントラップ界面形成技術の確立を目指します。最終的にはフレキシブルセンサへの適応に資する低ノイズ増幅回路を実証します。
研究領域ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2024-12-19   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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