ナノ物質デバイスにおけるノントラップ界面形成

研究課題

戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号	JPMJCR24A2
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR24A2
研究代表者	大野雄高名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
研究期間 (年度)	2024 – 2029
概要	表面にダングリングボンドをもたない低次元半導体材料における界面について、実験と理論の両面から完全な理解を進め、界面形成手法の指導原理を明らかにします。特に、表面の清浄化に加え、絶縁膜にダングリングボンドをもたない材料を導入することによって、トラップのないノントラップ界面形成技術の確立を目指します。最終的にはフレキシブルセンサへの適応に資する低ノイズ増幅回路を実証します。
研究領域	ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

主な研究成果
(3件)

すべて雑誌論文 (3件) (国際共著 1件、査読あり 3件、オープンアクセス 2件)

[雑誌論文] Effect of interlayer stacking arrangement on the dielectric properties of hexagonal boron nitride thin films2024
- 著者名
  MARUYAMA, Mina, OKADA, Susumu
- 雑誌名
  
  FlatChem
  
  巻: 48 ページ: 100751
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Geometric structure and electronic properties of bilayer graphene with a Moire superlattice by interlayer asymmetric tensile strain2024
- 著者名
  MINA, MARUYAMA, Nadia, SULTANA, YANLIN, GAO, OKADA, Susumu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 11 ページ: 115003
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] High-performance field-effect transistors with semiconducting-rich single-walled carbon nanotube bundle2024
- 著者名
  A. T. Khan, N. Wei, O. Salmela, K. Mustonen, Y. Liao, A. Hussain, E.-X. Ding, M. G. Uddin, H. Jiang, Y. Ohno, and E. I. Kauppinen
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 239 号: 10 ページ: 120320
- 査読あり / 国際共著