| 体系的番号 |
JPMJCR24A2 |
研究代表者 |
大野 雄高 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2029
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| 概要 | 表面にダングリングボンドをもたない低次元半導体材料における界面について、実験と理論の両面から完全な理解を進め、界面形成手法の指導原理を明らかにします。特に、表面の清浄化に加え、絶縁膜にダングリングボンドをもたない材料を導入することによって、トラップのないノントラップ界面形成技術の確立を目指します。最終的にはフレキシブルセンサへの適応に資する低ノイズ増幅回路を実証します。
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| 研究領域 | ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術 |
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