| 体系的番号 |
JPMJCR25A5 |
研究代表者 |
宮内 雄平 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2030
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| 概要 | カーボンナノチューブ（CNT）や量子ドット等のナノ物質半導体を集積した熱光工学デバイスの技術基盤を確立します。超高純度単一構造CNTの均質な集積成膜と複層構造化により、1200K程度の中温域で近赤外光子を効率よく放出できる波長選択熱エミッタを実現します。同時に、安価で高性能な量子ドット近赤外光起電力素子を開発し、それらを組み合わせ、低コストで高効率な中温域用熱光発電デバイスの創成を目指します。
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| 研究領域 | ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術 |
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