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ゆらぎ制御による次世代半導体用高分子絶縁材料の創製

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR2546

研究代表者

早川 晃鏡  東京科学大学, 物質理工学院, 教授

研究期間 (年度) 2025 – 2030
概要高分子に特有な“ゆらぎ”の定量化と制御により、誘電損失と熱伝導性という相反する特性の同時最適化に挑む。分子設計・中性子散乱・分光解析・機械学習を融合し、数十GHz~THz帯にわたる高周波複合応答領域の物性発現機構の解明と高性能材料創製を目指す。次世代通信やAI半導体に向けた革新的絶縁材料の新たな科学的基盤を築く。
研究領域ゆらぎの導入・制御による機能性材料の創製

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2026-01-14   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2026-01-15  

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