| 体系的番号 |
JPMJES2531 |
研究代表者 |
多田 宗弘 慶應義塾大学, 大学院理工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 –
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| 概要 | 技術の核となるのは、シリコンの限界を超える高移動度新材料を用いたGAAトランジスタと、電気抵抗を劇的に抑える新材料配線の導入である。これにより、省エネと高機能を両立する革新的なAIチップの実現を目指す。さらに新材料計算やCFET集積化技術といった共通基盤を同時開発することで、技術の社会実装を加速させる。この革新により、自動運転やロボットなどのエッジAIを使った新産業創出、先端技術開発を通じた半導体専門人材の育成にも大きく貢献する。
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| 研究領域 | 次世代トランジスタ技術 |
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