2025 年度年次報告書

新構造・新材料トランジスタと低抵抗配線の研究開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進次世代エッジAI半導体研究開発事業次世代エッジAI半導体研究開発事業

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体系的番号	JPMJES2531
研究代表者	多田宗弘慶應義塾大学, 大学院理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2025 –
研究領域	次世代トランジスタ技術