| 体系的番号 |
JPMJES2521 |
研究代表者 |
井上 史大 横浜国立大学, 大学院工学研究院／総合学術高等研究院, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 –
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| 概要 | エッジAI向け半導体には、小型・高集積化と低消費電力化の両立が求められている。しかし、大型インターポーザーに依存した構成は、量産性や小型化、微細接続の面で制約がある。一方、ウエハ上でチップレットを微細集積できるリコンストラクテッドD2Wハイブリッド接合は、エッジAIに適した革新的実装方式である。本研究では、この新規3D接合技術を中核に、環境循環型製造プロセス、高精度テスト技術、革新的熱拡散技術を統合的に開発する。これにより、次世代エッジAI半導体の実用化を加速し、先進3D半導体研究拠点形成による国内半導体産業の競争力強化と高度人材育成を実現する。
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| 研究領域 | 3D集積技術 |
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