エピタキシャル成長による半導体と磁性体の一体化

研究課題

体系的番号	JPMJPR95L7
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR95L7
研究代表者	田中雅明東京大学, 大学院工学系研究科, 助教授
研究期間 (年度)	1995 – 1998
概要	強磁性金属と半導体との異種物質ヘテロエピタキシーを実現し、原子レベルで構造・膜厚を制御した磁性体/半導体エピタキシャル超構造を作製することにより、半導体エレクトロニクスの世界にスピンテクノロジーという新しい自由度をもたらします。
研究領域	場と反応