エピタキシャル強磁性トンネル接合を用いた強磁性体/半導体融合デバイス
| 体系的番号 |
JPMJPR0194 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0194 |
研究代表者 |
菅原 聡 日本学術振興会, リサーチアソシエイト
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2004
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| 概要 | 本研究は強磁性体と半導体の融合デバイスに関するもので、原子スケールで界面構造を制御した強磁性体/半導体/強磁性体エピタキシャル三層ヘテロ構造に、ナノスケールの微細加工を施すことによって発現する新奇な磁気伝導現象を用いた機能デバイスを構築します。従来の半導体エレクトロニクスにキャリアのスピン自由度を応用した新しいエレクトロニクスの展開を目指します。
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| 研究領域 | ナノと物性 |
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