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2007 年度 事後評価書
量子細線レーザーの作製とデバイス特性の解明
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
CREST
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体系的番号
JPMJCR02B1
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B1
研究代表者
秋山 英文
東京大学, 物性研究所, 助教授
研究期間 (年度)
2002 – 2007
研究領域
超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製