2007 年度終了報告書

多価イオンプロセスによるナノデバイス創製

研究課題

体系的番号	JPMJCR02B4
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B4
研究代表者	大谷俊介電気通信大学, レーザー新世代研究センター, 教授
研究期間 (年度)	2002 – 2007
研究領域	超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製