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2009 年度 終了報告書

金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果の発生メカニズムの解明

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

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体系的番号 JPMJPR06N3
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR06N3

研究代表者

内藤 泰久  産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 研究員

研究期間 (年度) 2006 – 2009
研究領域ナノ製造技術の探索と展開

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2020-07-20   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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