2011 年度終了報告書

ワイドギャップ半導体中の単一常磁性発光中心による量子情報素子

研究課題

戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業さきがけ

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体系的番号	JPMJPR086A
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR086A
研究代表者	水落憲和大阪大学, 大学院数理物質科学研究科, 講師
研究期間 (年度)	2008 – 2011
研究領域	革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス