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2022 年度 事後評価書
深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
CREST
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体系的番号
JPMJCR16N2
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJCR16N2
研究代表者
岩谷 素顕
名城大学, 理工学部, 准教授
研究期間 (年度)
2016 – 2021
研究領域
新たな光機能や光物性の発現・利活用を基軸とする次世代フォトニクスの基盤技術