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2022 年度 事後評価書

深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

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体系的番号 JPMJCR16N2
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR16N2

研究代表者

岩谷 素顕  名城大学, 理工学部, 准教授

研究期間 (年度) 2016 – 2021
研究領域新たな光機能や光物性の発現・利活用を基軸とする次世代フォトニクスの基盤技術

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2024-03-21   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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