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2023 年度 事後評価書
トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
CREST
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体系的番号
JPMJCR18T5
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJCR18T5
研究代表者
PHAM NAM・HAI
東京工業大学, 工学院, 准教授
研究期間 (年度)
2018 – 2023
研究領域
トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出