2024 年度年次報告書

金属マグネシウム層とGaN層の超格子構造(MiGs)の物性とデバイス応用およびウルトラワイドバンドギャップ半導体材料(AlN, Ga2O3等)への超高濃度ドーピング

研究課題

国際的な科学技術共同研究などの推進先端国際共同研究推進事業 ASPIRE 単独公募(トップ)

PDF

体系的番号	JPMJAP2311
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJAP2311
研究代表者	天野浩名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
研究期間 (年度)	2023 – 2028
研究領域	マテリアル