2006 年度事後評価書

高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発

研究課題

体系的番号	JPMJCR0183
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR0183
研究代表者	大串秀世産業技術総合研究所, 新炭素系材料開発研究センター, 総括研究員/ダイヤモンド半導体チーム長
研究期間 (年度)	2001 – 2006
研究領域	新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製