Ge High-k CMOSに向けた固相界面の理解と制御技術の開発

研究課題

体系的番号	JPMJCR0843
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR0843
研究代表者	鳥海明東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	2008 – 2013
概要	次世代微細化ＣＭＯＳの駆動電流向上と低電圧動作を可能にする、電子、正孔ともに移動度の高い半導体材料であるＧｅをベースにしたデバイス構造が期待されています。しかしながら、Ｇｅ系材料に対するゲート絶縁膜および電極界面は熱的、電気的安定性が悪く、その原因究明と対策が求められています。本研究課題ではGe High－k CMOS形成に向けて、ゲート絶縁膜および電極界面の物性の精緻な解析と革新的な界面制御技術の開発を行います。
研究領域	次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

報告書

(2件)