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2018 年度 終了報告書
超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
さきがけ
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体系的番号
JPMJPR1525
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1525
研究代表者
小林 正治
東京大学, 生産技術研究所, 准教授
研究期間 (年度)
2015 – 2018
研究領域
素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成