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2018 年度 終了報告書

超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

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体系的番号 JPMJPR1525
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR1525

研究代表者

小林 正治  東京大学, 生産技術研究所, 准教授

研究期間 (年度) 2015 – 2018
研究領域素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2020-07-20   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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